在半導(dǎo)體材料與器件研究的精密世界里,少子壽命測試儀探尋著半導(dǎo)體內(nèi)部少數(shù)載流子壽命的奧秘,為優(yōu)化材料性能、提升器件品質(zhì)提供關(guān)鍵線索。
少子壽命測試儀的運行,始于對樣品的精細安置。待測半導(dǎo)體樣品被妥善放置在測試臺上,連接好電極,構(gòu)建起穩(wěn)定的電學(xué)回路,儀器核心的激發(fā)源隨即啟動,通常采用脈沖激光或電子束照射樣品。這一束光或電子,恰似吹響沖鋒號的先鋒,瞬間注入半導(dǎo)體內(nèi)部,打破熱平衡狀態(tài),激發(fā)產(chǎn)生大量電子-空穴對,其中少數(shù)載流子(電子或空穴,取決于半導(dǎo)體類型)成為這場探測之旅的主角。
當(dāng)這些額外注入的少數(shù)載流子在半導(dǎo)體晶格中游走,一方面,與多數(shù)載流子復(fù)合,每次復(fù)合都伴隨著能量以光(輻射復(fù)合)或熱(俄歇復(fù)合)的形式釋放;另一方面,還會在晶體缺陷、雜質(zhì)處被捕獲陷阱,仿佛陷入泥沼,行動受阻。而少子壽命測試儀通過精密的電學(xué)傳感器,實時監(jiān)測樣品電學(xué)參數(shù)隨時間的變化。

具體來說,利用微波光電導(dǎo)衰減法時,微波持續(xù)穿透樣品,其強度變化反映少數(shù)載流子濃度衰減。隨著時間推移,少數(shù)載流子因復(fù)合不斷減少,微波反射、透射或吸收特性改變,探測器捕捉這些變化并轉(zhuǎn)化為電信號?;蚴遣捎弥绷鞴怆妼?dǎo)衰減模式,光照產(chǎn)生穩(wěn)定少子濃度后撤去光源,測量電導(dǎo)率衰退曲線。這些衰減曲線蘊含著壽命長短的關(guān)鍵信息。
后續(xù)分析系統(tǒng)大顯身手,依據(jù)特定物理模型與公式,對采集數(shù)據(jù)深度剖析。精準算出少數(shù)載流子平均壽命數(shù)值,還能定位復(fù)合中心能級、缺陷密度等深層次參數(shù)??蒲腥藛T借此洞悉半導(dǎo)體材料純度、結(jié)晶質(zhì)量優(yōu)劣,為半導(dǎo)體工藝改進、新器件研發(fā)照亮前路,讓微觀電學(xué)世界的秘密在科技探索中漸次明晰。